在第三代半導體——碳化矽（SiC）的應用浪潮中，散熱效能直接決定了功率元件的可靠度與 壽命。然而，SiC 高硬度、高脆性的材料特性，卻成為加工領域的「雙面刃」：傳統機械加工極易 導致晶體破碎，而一般熱加工製程則會因熱應力造成晶效損減。

京碼憑藉深厚的技術整合底蘊，提出「雷射冷加工（Cold Machining）與 3D 微結 構設計」的深度結合方案，從材料物理本質出發，重新定義 SiC 散熱片的加工標準。 

一、 核心製程：超快雷射冷加工的「低應力」優勢  

SiC 對熱應力極為敏感。京碼採用超短脈衝（Ultrafast Laser）雷射冷加工技術，其技術指標優 勢體現在以下三點： 

1. 瞬時消融（Ablation）： 脈衝作用時間極短，能量在熱傳導發生前即完成材料消融，將 熱影響區（HAZ）降至物理極限。 
2. 斷面完整性： 加工邊緣無熔融堆積、無微裂紋（Micro-cracks），確保 SiC 單晶結構的機 械強度，滿足精密電子元件的長效穩定性。 
3. 高精度幾何表現： 避免了熱循環產生的拉伸應力，能維持極高的幾何公差精度，大幅 降低後續封裝工序的碎裂風險。

二、 技術延伸：3D 微結構與精密開槽技術 

京碼的優勢不僅在於材料切割，更在於實現複雜幾何成型的能力，協助客戶極大化單位體積 的熱交換率：

• 高深寬比精細開槽 (Trenching)： 於 SiC 表面製作精密溝槽，顯著增加表面積，優化與 冷卻液或導熱介質的接觸效率。 
• 3D 微結構 (Micro-structuring)： 透過精密雷射掃描策略，製作微柱或微鰭片結構。此 技術能有效破壞層流邊界層，誘導湍流產生，實現高效散熱。 
• 盲孔與盲槽精準加工： 透過雷射剝離深度控制技術，實現在不穿透片體的情況下嵌入 功率元件，達成高度整合的一體化散熱方案。

三、 競爭核心：從「工藝代工」到「Total Solution」輸出

京碼提供的不僅是代工服務，更是結合「設備開發」與「工藝參數」的技術整合體系： 

• 光學系統優化： 整合高動態掃描振鏡系統，確保 3D 結構加工時的一致性與位置精度。
• 精密視覺定位補償： 針對高價值的 SiC 單晶片，設備配備精密視覺定位系統，確保加 工位置與晶圓圖案精準對齊，保障極高的良率。 
• 材料去除率 (MRR) 優化： 針對 SiC 寬能隙特性調整波長與頻率，在確保「冷加工」品 質的前提下，縮短生產產距（Tact time），兼顧加工效率。 

結語：以工藝維持性能，以設計極大化效能 

京碼的技術路徑成功避開了傳統加工的「脆裂」風險與「熱傷」痛點。我們透過冷加工維持 SiC 原始物理特性，並藉由 3D 建模技術探測散熱的物理極限。這不僅是加工技術的進步，更是為 SiC 功率模組提供極具競爭力的差異化核心。

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